The Bathtub Curve
: WFP 기간에 EM, HCI, TDDB, BTI 등의 불량이 발생할 수 있기 때문에 반도체 신뢰성 테스트를 거쳐 품질을 보증한다.
EM (Electromigration)
: 고전류밀도에서 금속 원자들이 전기장의 영향을 받아 이동함으로써 반도체 전선의 구조적 결함을 유발하는 현상.
HCI (Hot Carrier Injection)
: MOSFET 채널의 carrier가 높은 에너지를 받아 sio2 절연막 안으로 들어가 Vth를 변화시키는 현상.
TDDB (Time Dependant Dielectric Breakdown)
: HCI의 연장선으로, 시간이 지남에 따라 절연막에 injection 되는 carrier 양이 많아지며 게이트와 기판이 연결되어 short 돼버리는 현상.
BTI (Bias Temperature Instability)
1) NBTI: 게이트에 Negative bias를 인가했을 때, PMOS 채널에 형성된 정공들이 Gate Oxide에 Trap되며 Threshold Voltage가 증가하는 현상.
2) PBTI: 게이트에 Positive bias를 인가했을 때, NMOS 채널에 형성된 전자들이 Gate Oxide에 Trap되며 Threshold Voltage가 증가하는 현상.
