본문 바로가기

분류 전체보기

 (39)
축전기와 유도기 축전기(Capacitor)✅  '진동수'에 따라 변하는 저항1) 진동수가 0(직류) 일 때는 저항이 ∞이다.2) 교류(극성이 바뀜) 일 때 전류가 흐르며, 유한한 저항 (리액턴스)을 가진다.3) 진동수가 커질수록 저항이 작아진다. ✅  '과거'를 기억하는 소자1) 전류가 변해도, 시간에 따라 적분한 만큼 전하량을 가진다.2) 시간에 따른 적분을 수행한다. Q = C * V → 시간에 대한 미분: I = C * dV/dt V와 I 사이에 '위상차'가 존재한다.전압이 전류에 90° 뒤진다. (전류가 전압을 90° 앞섬) 즉, 위상각은 -90°유도기(Inductor)자기 유도 계수(self inductance): 전류가 변할 때, 전류의 변화를 막는 방향으로 전압이 발생하는 특성V = L * dI/dt 축전기..
Data Type and Operators Verilog 논리값 0: 논리 0(거짓), 0V1: 논리 1(참), 1Vz: high impedance 상태x: 알 수 없는 값Data Type(자료형)Default 자료형은 1 bit wire이다. ✅ Net 자료형: 소자 간의 물리적인 연결을 추상화hardware적 특성(순서가 상관없음)을 갖는다.default 초기값은 z이다. ex) wire, tri, wand, wor.. ※ wired net: 여러 신호가 연결될 수 있는 Net 타입- wand(wired AND)- wor(wired OR) ✅ Variable 자료형: 절차형 할당문( Behavioral medeling)에서 값의 임시 저장변수 역할을 하며, software적 특성(순서가 중요)을 갖는다.reg, time, integer의 de..
Verilog module & 어휘 규칙 Verilog HDL moduleVerilog 어휘 규칙수 표현✅ 정수형(integer)- 형식: 'size: bit 크기(기본값: 32 bit unsigned)': bitbase: 밑수(진법)를 지정하는 문자(d, D: 10진수, h, H: 16진수, o, O: 8진수, b, :B 2진수)value: 값 ex) 8'b10101010 // 8비트 2진수 (170) ✅ 부호1) unsigned 상수(부호 없는 정수): Verilog의 기본 숫자 상수는 unsigned(부호 없음)으로 해석, 음수를 표현할 수 없다. 2) signed 상수 (부호 있는 정수): signed 변수를 선언하면 2의 보수 방식으로 음수를 표현할 수 있다.base에 s를 붙여서 선언 가능 ex) 8'sb10101010 // 8비트 ..
Verilog HDL 개요 Verilog HDL (Hardware Description Language)은 단순 논리 게이트나 플립플롭과 같은 기본 소자에서부터 제어회로, 통신용 모뎀, 마이크로프로세서 등에 이르기까지 디지털 시스템의 설계 및 검증에 사용되도록 개발된 하드웨어 기술 언어이다.소프트웨어와 달리, 설계 수준에 따라 Gate-level modeling 과 RTL level modeling으로  구분할 수 있다.Gate-level modeling- 정의 : 논리 게이트를 직접 연결하여 하드웨어를 설계하는 방식- 특징: 1) 설계자가 직접 논리 게이트 (NAND, NOR, XOR 등) 를 배치하여 하드웨어 구성           2)  낮은 추상화 수준의 모델링 방식으로, RTL보다 하드웨어 구조를 더 세부적으로 정의해야 ..
신호와 데시벨 신호정의: 사람에게 의미 있는 물리량의 변화즉, 전자회로의 관점에서는 시간에 따라 변하는 전압값이라 이해할 수 있다.신호의 종류데시벨: 신호의 크기를 나타내는 단위즉, 전자회로에서 전압(신호) 진폭의 비율로 이해할 수 있다. 1) 전력의 비율 2) 전압진폭의 비율3dB 포인트: 전력(일률)이 최대치의 반이 되는 지점 = 전압 진폭이 최댓값의 0.707배가 되는 지점
전자회로 기본 & 3대 법칙 전압, 전류, 전력이란?✅ 전압(Voltage, V): 전하 당 에너지 ✅ 전류(Current, I): 단위 시간당 움직인 전하량 그리고 이를 쉽게 이해하기 위해 물의 흐름에 비유하는 water analogy를 적용하면,전압을 물의 높이, 전류를 물의 부피 및 유량으로 이해할 수 있다.즉, 물이 어느 높이에서(전압) 얼마나 많이(전류) 흐르는가로 이해할 수 있다. 전압과 전류를 해석할 때, 전압은 '두 지점' 사이의 상대적인 값으로, 일반적으로 한 지점을 GND로 설정한다.반면에, 전류는 '한 지점'을 선정하여 그 지점을 통과하는 단위시간당 전하량을 구하는 것이라고 이해할 수 있다. ✅ 전력/일률(Power, P): 단위 시간당 한 일 1) 에너지 관점에서 해석단위: 와트(W)정의: 단위 시간당 에너지 ..
반도체 신뢰성 평가 The Bathtub Curve: WFP 기간에 EM, HCI, TDDB, BTI 등의 불량이 발생할 수 있기 때문에 반도체 신뢰성 테스트를 거쳐 품질을 보증한다.  EM (Electromigration): 고전류밀도에서 금속 원자들이 전기장의 영향을 받아 이동함으로써 반도체 전선의 구조적 결함을 유발하는 현상. HCI (Hot Carrier Injection): MOSFET 채널의 carrier가 높은 에너지를 받아 sio2 절연막 안으로 들어가 Vth를 변화시키는 현상. TDDB (Time Dependant Dielectric Breakdown): HCI의 연장선으로, 시간이 지남에 따라 절연막에 injection 되는 carrier 양이 많아지며 게이트와 기판이 연결되어 short 돼버리는 현상. ..
증착 공정 - 2 Plasma CVD○ PECVD: 플라즈마를 만들 때 생성된 여러 가지 입자 중 라디칼을 사용한다.저온에서도 다른 원소와 화학적으로 쉽게 결합하며 증착 속도가 빠르지만, 막질 상태가 좋지 않고 step coverage가 낮다.CCP type으로 저압에서 plasma density가 감소한다.→ 막의 품질이 떨어져도 무방한 위치(layer)에 한정적으로 사용한다. ○ HDPCVD: ICP 방식을 사용하여 증착 속도는 PECVD보다 느리지만 plasma density가 높아 막의 질이 더 좋다.또한, back side에 RF Bias를 인가할 수 있어 sputtering을 진행할 수 있다.(Depo →sputtering →Depo..)→ step coverage가 극대화되어 Gap fill이 우수하다.  M..

티스토리툴바